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650V Super Junction N-Channel MOSFET
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产品介绍 1.采用william威廉特殊多层外延工艺制程设计的650V系列超结产品，可以满足低导通损耗、低开 关损耗、EMI兼容性以及不同电路拓扑结构应用要求，产品具有良好的导通内阻（Rdson)和栅 极电荷（Qg)性能，降低导通损耗和开关损耗，更低的开关噪声、更低的Trr，综合提升系统稳 定性及性能。
2.开关速度与EMI平衡、更低的Trr特点，适用于充电器，电源适配器，TV电源、工业电源等领 域，亦可满足一些半桥或各种桥式电路拓扑结构应用要求。
产品特点 1.采用william威廉特殊多层外延工艺制程设计，具有更高的工艺稳定性和可靠性，开关速度与EMI 平衡、更低的Trr特点；
2.系列产品具有低导通电阻、低栅极电荷、导通损耗和开关损耗低的特点；
3.采用TO-252/ITO-220AB封装，具有更好的热值特性。
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